永揚違法掩埋爐渣滾出來 環保署官員傻眼

重大發現!! 永揚違法掩埋廢爐渣
凡那比發威 爐渣全都露

環保團體南北發聲:提出永揚全場區涉違法掩埋新證據

要求清除污染並撤銷永揚案

10月3日永揚場發現爐渣，包括環保署官員及與會學者專家都在場


永揚掩埋場於90年環評通過，但因緊鄰烏山頭水庫集水區不到300公尺，且環評書、水土保持計畫書及設置許可文件等皆涉偽造，目前正司法調查中。而有關凡那比颱風發威，將永揚掩埋場違法掩埋的爐渣沖出，意外於10月3日環保署舉行之永揚掩埋場案專家現勘時被發現，也緊急通報台南地檢署檢察官，目前司法環保單位已進行採樣分析中。10月6日環保團體到環保署及台南縣政府南北陳情抗議，包括台南縣市環保理事長謝安通、李建畿、前理事長黃安調、東山自救會總幹事陳顯茂、龜重溪護溪協會理事長曾炎相及台灣水資源保育聯盟發言人陳椒華等，提出永揚場址涉全場區違法掩埋新證據，為免污染烏山頭水庫，要求環保署及台南縣政府應立即全面清除污染並撤銷永揚案。


經環保署土基會及環保團體調查報告，可推論永揚場址已全場區涉違法掩埋爐渣或廢棄物，證據包括(一)、環保署土基會報告: 包括98年6月及98年12月檢測報告，皆有永揚場址監測井之pH值達11.9，而爐渣的pH接近12；(二)、台南地檢署98年間積極調查，委託環保團體與中央大學進行「永揚場址時間域電磁法探測報告」，該報告已發現永揚全場區有多處之地層不均勻，顯現有掩埋異物之非自然地層狀態，其不當掩埋位置包括目前已發現爐渣的永揚場址滯洪池邊。以上證據加上已發現違法掩埋爐渣事實，已足令環保署及台南縣政府到永揚場址挖除污染並撤銷永揚掩埋場案。

永揚場址鄰近之烏山頭水庫監測井的水嚴重污染，而且環保署永揚案專家會議已確認永揚場址存在透水性高的砂岩破碎帶，滲水係數達10-5公尺/秒（十的負五次方），而法規「事業廢棄物貯存清除處理方法及設施標準」40條第三款規定:「掩埋場之底層及周圍應以透水係數應低於10-9公尺／秒（十的負九次方），並與廢棄物或其滲出液具相容性，厚度六十公分以上之砂質或泥質黏土或其他相當之材料做為基礎」，故由永揚場址所存在透水性高的砂岩破碎帶之透水性已高於法規一萬倍以上，已證明永揚場址不適合掩埋事業廢棄物。

永揚場址原是急水溪流域水源區，今其非法掩埋爐渣已證實其未經許可就違法傾倒，證明環保團體及村民的檢舉都是事實。永揚非法掩埋爐渣，經砂岩破碎帶滲入地下，將擴散污染至龜重溪流域及烏山頭水庫集水區，所以要求環保署及台南縣政府應立即清除永揚場址污染並撤銷永揚掩埋場案，以確保烏山頭水庫安全。
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根據中央大學2009年所做之永揚場址時間域電磁法探測報告，利用TEM暫態電磁法進行儀器佈線探測，呈現測區之三維電阻率構造，針對局部電阻率異常呈現於切片圖中淺部，摘錄表列於下:

分區 圖號 X範圍 Y範圍 異常特性 可能原因
W區 圖4-7 1720-1740 1820-1830 大面積低電阻異常 棄土等
T1區 圖4-10 1530-1540 1835-1845 大面積低電阻異常 棄土等
T2區 圖4-13 1560-1570 1750-1760 局部低電阻異常 棄土等
P區 圖4-17 1830-1855 1785-1810 零星散佈低電阻異常 棄土金屬
D區 圖4-19 160-1615 1904-1914 大面積低電阻率異常 金屬設施


永揚場址區內TEM法測點(紅色)分佈圖如下，分成W、 T1、T2、R、P及D等六區施測(測點共計580個以上)

異常區描述

W區切片圖
各高程之電阻率分佈(圖4-7)大致呈現由東南向西北遞增的趨勢，遞增的趨勢相當均勻，與全測區之電阻率變化(由東南向西北遞增)趨勢肳合，但受不透水布隔絕，影響自然沉積速率，淺部(Elev:80m)電阻率梯度大，至深部(Elev:50m)已漸趨緩和。
切片圖Elev:62m中，坐標(1680,1800)至(1710,1800) 間呈現三個測點之高電阻率異常，梯度大，範圍小，且呈線性排列，係TEM儀器車靠近之效應，此效應延伸至Elev:50m。一般TEM施測，儀器車應遠離發射線圈外3m，但受現場施測空間限制，而無法達到，但具經驗之解釋者應提醒讀者注意。

T1（Top1）區
T1區係作為堆積覆蓋垃圾所需沙土之儲存區域，其高程間距2m之電阻率切片圖及剖面圖分別詳示於附錄1B-4及1B-5。茲將其中代表性之切片圖及剖面圖分別重繪於圖4-10及圖4-11、12以利解釋。
註：圖4-10有大面積電阻異常區塊

T2(top2)區
T2係T1區之南向延伸區，亦是作為堆積覆蓋垃圾所需沙土之儲存區域，其高程間距2m之電阻率切片圖及剖面圖分別詳示於附錄1B-6及1B-7。茲將其中代表性之切片圖及剖面圖分別重繪於圖4-13及圖4-14供解釋。
本區淺部(Elev:106m)切片圖顯示有多處低電阻率的異常點（圖 4-13），雖然同屬於儲沙池，但地表可見許多與T1區不同之設施，主要有金屬通氣孔，淺部低電阻率的異常點可與通氣孔位置比對，故本區淺部低電阻率的異常是地表金屬導體之反應。
除淺部外，本區的地下電阻率與T1區大致相似，即高程100公尺以下，電阻率呈現層狀分佈，厚度以10公尺至50公尺不等(圖 4-14)，各測點亦可解析至約60公尺的深度，未觀察到測深不均勻之區域，顯見與T1區同屬儲沙池的特性。

R(road)區
R測區係沿道路及掩埋坑之逐級下降台階施測，波源之發射線圈是傾斜的置於斜坡(約60o以上)上，而非水平地表，測點分佈大致呈南北方向，而以L(Line)表示。由於波源是斜向入射，故其響應並非完成來自地下(當傾角0o)，而極大部份來自側向之T1區(因為波源是朝向T1斜坡)。理論上，此一問題應採用三維解析，但已超越本報告之研究範圍，茲僅就定性的說明(即各圖電阻率及深度應改用視電阻率及視深度為妥)電阻率異常及其可能之意義。本區之電阻率切片圖及剖面圖分別詳示於附錄1B-8及1B-9。茲將其中電阻率異常切片圖及南北向剖面圖分別重繪於圖4-15及圖4-16供解釋。
本區淺部(Elev:88m)切片圖主要異常有二:坐標(1620,1800)至(1620,1850)間之長條形低電阻異常與(1640,1840)方形低電阻異常，前者係側向T1區淺層之反應，而後者屬含金屬之構造物，蓋反應係正負相間異常。隨著切片圖高程之下降，低電阻異常之走向提供其延伸之趨勢。
觀察圖4-16之四剖面，大致而言，與T1區南北向剖面(圖4-12)非常相似，即淺部為低電阻層，其下為高電阻區，顯然係T1構造向東之延伸，但是Line:1620L與1650Ly中分別存在一些異常電阻，值得說明: 1.Line:1620L坐標(40,95)高電阻異常是前述T1排水涵箱設施之反應; 2.坐標(65,100)至(65,60)之高電阻異常，未在T1中被探獲，可能原因是該異常在T1 線圈外，但在R線圈內(即道路旁); 3.Line:1650L坐標(55,80)低電阻異常，是前述切片圖中之低電阻異常。

P(pond) 區
P區高程屬全區最低，北側鄰近污水處理場，南接污水溢洪池，其高程間距2m之電阻率切片圖及剖面圖分別詳示於附錄1B-10及1B-11。茲將其中代表性之切片圖及剖面圖分別重繪於圖4-17及圖4-18以供解釋。
P區各高程之電阻率切片（圖4-17）有明顯低電阻率異常區域，於淺部(Elev:90m)分佈較不均勻，隨深度增加，低電阻異常有擴大而合併為一之趨勢，因靠近污水處理場，長時間積水，含水量高，導致低電阻率異常，與全測區東側屬低電阻反應(圖4-3)吻合，至於淺部低電阻率分佈不均勻，可能是回填之棄土、建築廢棄物等，該等材料相對地屬高電阻反應。
再從剖面圖（圖4-18）也確實可以發現在切片圖中出現之低電阻異常區，其對應剖面位置的解析點密集且解析深度較淺，其原因是低電阻率的區域所產生的渦電流大，其產生之二次磁場延續長久，不易消散，因此在時間域之記錄上，解析點更為密集，同時低電阻率之測深也將變小(趨膚效應Skin depth effect)。


D(door) 區
D區位置屬全區最高，東側鄰近場區入口，地表可見車道、車輛地磅，貨櫃屋、鐵欄杆等金屬設施，測區面積最小，約20mX20m，因此測深受限，其高程間距2m之電阻率切片圖及剖面圖分別詳示於附錄1B-12及1B-13。茲將其中代表性之切片圖及剖面圖分別重繪於圖4-19及圖4-20以供解釋。
各高程之電阻率切片圖（圖4-19）中可以發現到D區東側有明顯的低電阻異常區出現，可與地表可見之地磅等等金屬物相互對應，因此地下的低電阻異常係由金屬物所產生，該等之響應可深達10m不等，至於D區西側大致呈現高電阻反應與全測區西側屬高電阻區(圖4-3)吻合，但其間散佈著局部之高電阻異常可能係回填之棄土等廢棄物。
再參考D區電阻率剖面圖(圖4-20)可以發現，東側之地表出現地下的解析深度非常淺且密集之的現象，此包括東西向及南北向剖面，再度證實是地表金屬物構造所產生的異常現象，至於西側局部之散雜高電阻異常，則未呈現於剖面深部，因此異常物散佈僅及於淺部。